本站6月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Intel將與軟銀合作，共同開(kāi)發(fā)一種可取代HBM內(nèi)存的堆疊式DRAM解決方案。
雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術(shù)和東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的專(zhuān)利，共同打造原型產(chǎn)品。
該合作的目標(biāo)是在2027年前完成原型設(shè)計(jì)，并評(píng)估量產(chǎn)可行性，力爭(zhēng)在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
目前大多數(shù)AI處理器都使用HBM芯片，這類(lèi)芯片非常適合暫存處理的大量數(shù)據(jù)，但由于其制造工藝復(fù)雜、成本高昂，且容易過(guò)熱、耗電量大，限制了其廣泛應(yīng)用。
雙方計(jì)劃通過(guò)堆疊DRAM芯片并優(yōu)化連接方式，新方案有望實(shí)現(xiàn)至少大一倍的存儲(chǔ)容量，同時(shí)將耗電量減少40%，并大幅降低成本。
軟銀將成為新公司的最大股東，出資約30億日元，公司計(jì)劃初期研發(fā)經(jīng)費(fèi)約150億日元，如果這項(xiàng)技術(shù)成功，軟銀希望優(yōu)先獲得供應(yīng)權(quán)。
由于A(yíng)I芯片需求旺盛，HBM供應(yīng)持續(xù)緊張，Saimemory希望通過(guò)這種替代產(chǎn)品，搶占至少日本數(shù)據(jù)中心的市場(chǎng)份額，此外這也是日本20多年來(lái)首次嘗試重返內(nèi)存芯片主要供應(yīng)國(guó)之列。
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